Besonders Anwendungen mit Prozessoren und Speichern, Sensoren, sowie Hochfrequenztransceivern können von einer dreidimensionalen Systemarchitektur profitieren.In diesem Zusammenhang bieten vor allem Siliziumzwischenträger mit vertikalen Durchkontaktierungen neue Möglichkeiten zur Herstellung leistungsfähiger dreidiemnsionaler System-in-Package Aufbauten basierend auf ASICs, Speichern und MEMS-Komponenten.
Als Teil des europäischen Projektes “Go4Time” (GlObal, Flexible, On-demand and Resourceful Timing IC & MEMS Encapsulated System) wurde ein hermetisches Verkapselungsverfahren auf Waferebene für MEMS-Komponenten, wie Schwingquarze und Siliziumresonatoren entwickelt.
www.izm.fraunhofer.deIn this context especially silicon interposers with trough silicon vias ( TSVs ) offer new possibilities to merge advanced devices e.g. high pin count ASICs, memories and MEMS to form 3D SiPs.
As part of the EU Project “Go4Time” (GlObal, Flexible, On-demand and Resourceful Timing IC & MEMS Encapsulated System) hermetic packages for MEMS like quartz or silicon resonators were built at wafer level by using silicon interposers or IC components with through silicon vias (TSVs).
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